Hersteller Produktnummer:
IPD13N03LA G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD13N03LA G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
12800295
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Menge
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IPD13N03LA G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1043 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
46W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD13N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD13N03LAINCT
IPD13N03LAGINCT-NDR
IPD13N03LAG
IPD13N03LAGINCT
IPD13N03LAGBUMA1
IPD13N03LAGXT
SP000017537
IPD13N03LAGXTINCT
IPD13N03LAINCT-DG
IPD13N03LAINTR
IPD13N03LAGINTR-NDR
IPD13N03LA
IPD13N03LAGXTINTR-DG
IPD13N03LAINTR-DG
IPD13N03LAGXTINTR
IPD13N03LAGINTR
IPD13N03LAGXTINCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD135N03LGATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
31780
TEILNUMMER
IPD135N03LGATMA1-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
Direct
Teilenummer
IPF13N03LA G
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
468
TEILNUMMER
IPF13N03LA G-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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